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Diodes Incorporated ZXMN2F34MATA

Name: ZXMN2F34MATA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN2F34MATA
Availability: InStock
Rating: 4.8 (58 reviews)

Numéro de pièce MFG: ZXMN2F34MATA

quantité disponible: 71830 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Diodes Incorporated

Brève description: - MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: ZXMN2F34MATA.pdf

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ZXMN2F34MATA Caractéristiques

Référence fabricant	ZXMN2F34MATA
Numéro de pièce future	FT-ZXMN2F34MATA
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
ZXMN2F34MATA Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	2.8nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	277pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.35W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	DFN322
Paquet / caisse	3-VDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMN2F34MATA Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	ZXMN2F34MATA-FT

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