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Référence fabricant | ZXMN10A11K |
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Numéro de pièce future | FT-ZXMN10A11K |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ZXMN10A11K Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2.4A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 2.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5.4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 274pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.11W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-252-3 |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZXMN10A11K Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ZXMN10A11K-FT |
DMN5L06-7
Diodes Incorporated
DMP2225L-7
Diodes Incorporated
DMP3100L-7
Diodes Incorporated
DMP3120L-7
Diodes Incorporated
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VN10LFTC
Diodes Incorporated
ZVN3306FTC
Diodes Incorporated
ZVN3310FTC
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ZVN3320FTC
Diodes Incorporated
ZVN4106FTC
Diodes Incorporated
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
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EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel