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ZXMN10A11K Image

Diodes Incorporated ZXMN10A11K

Numéro de pièce MFG
ZXMN10A11K
quantité disponible
23310 Pièces
Prix de référence
USD 0.4
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
- MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
ZXMN10A11K.pdf
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ZXMN10A11K Caractéristiques

Référence fabricant ZXMN10A11K
Numéro de pièce future FT-ZXMN10A11K
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
ZXMN10A11K Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Discontinued at Future Semiconductor
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 2.4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.4nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 274pF @ 50V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 2.11W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TO-252-3
Paquet / caisse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMN10A11K Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange ZXMN10A11K-FT

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