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ZXMHC10A07N8TC Image

Diodes Incorporated ZXMHC10A07N8TC

Numéro de pièce MFG
ZXMHC10A07N8TC
quantité disponible
85850 Pièces
Prix de référence
USD 0.4872
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
- MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
ZXMHC10A07N8TC.pdf
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ZXMHC10A07N8TC Caractéristiques

Référence fabricant ZXMHC10A07N8TC
Numéro de pièce future FT-ZXMHC10A07N8TC
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
ZXMHC10A07N8TC Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Caractéristique FET Standard
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 800mA, 680mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.9nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 138pF @ 60V
Puissance - Max 870mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur 8-SOP
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMHC10A07N8TC Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange ZXMHC10A07N8TC-FT

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