maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / ZVN4206ASTZ
Référence fabricant | ZVN4206ASTZ |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-ZVN4206ASTZ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ZVN4206ASTZ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 600mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 100pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 700mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | E-Line (TO-92 compatible) |
Paquet / caisse | E-Line-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZVN4206ASTZ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ZVN4206ASTZ-FT |
TPC6111(TE85L,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC6113(TE85L,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
FDB8444TS
ON Semiconductor
BS170
ON Semiconductor
BS250P
Diodes Incorporated
ZVP3306A
Diodes Incorporated
ZVNL110A
Diodes Incorporated
ZVN0545A
Diodes Incorporated
ZVN2106A
Diodes Incorporated
ZVNL110ASTZ
Diodes Incorporated
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel