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Référence fabricant | ZMYB6V2-GS18 |
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Numéro de pièce future | FT-ZMYB6V2-GS18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
ZMYB6V2-GS18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 6.2V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 1W |
Impédance (Max) (Zzt) | 2 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 2V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-213AB, MELF (Glass) |
Package d'appareils du fournisseur | DO-213AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZMYB6V2-GS18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ZMYB6V2-GS18-FT |
BZD27C3V9P-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V3P-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V7P-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C51P-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C7V5P-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C82P-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C8V2P-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
ZM4739A-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
ZMY24-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
ZMY36-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2VP20-6FG676I
Xilinx Inc.
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
EP1SGX10DF672I6
Intel
EPF10K100AFC484-1
Intel
5SGXEA7N2F40C3
Intel
5SGXEBBR2H43C2L
Intel
XC2V1000-4FFG896I
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQ160I
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation