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Référence fabricant | ZHCS350TC |
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Numéro de pièce future | FT-ZHCS350TC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ZHCS350TC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 40V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 350mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 810mV @ 350mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 1.6ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 12µA @ 30V |
Capacité @ Vr, F | 6pF @ 25V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-79, SOD-523 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-523 |
Température de fonctionnement - Jonction | 125°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZHCS350TC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ZHCS350TC-FT |
MMBD4448HT-7-F
Diodes Incorporated
BAS16T-7-F
Diodes Incorporated
BAS116T-7-F
Diodes Incorporated
BAS21T-7-F
Diodes Incorporated
BAS116T-7
Diodes Incorporated
BAS21T-7
Diodes Incorporated
BAS40T-7
Diodes Incorporated
BAT54T-7
Diodes Incorporated
MMBD4448HT-7
Diodes Incorporated
SDM10P45-7
Diodes Incorporated
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel