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ZDS020N60TB Image

Rohm Semiconductor ZDS020N60TB

Numéro de pièce MFG
ZDS020N60TB
quantité disponible
14540 Pièces
Prix de référence
USD 0.3584
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Date d'expédition
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fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
- MOSFET N-CH 600V 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
ZDS020N60TB.pdf
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ZDS020N60TB Caractéristiques

Référence fabricant ZDS020N60TB
Numéro de pièce future FT-ZDS020N60TB
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
ZDS020N60TB Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Not For New Designs
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 630mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 310pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 2W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 8-SOP
Paquet / caisse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZDS020N60TB Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange ZDS020N60TB-FT

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