maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Embarqué - Microcontrôleurs / Z8F082AHH020EG2156
Référence fabricant | Z8F082AHH020EG2156 |
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Numéro de pièce future | FT-Z8F082AHH020EG2156 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Encore!® XP® |
Z8F082AHH020EG2156 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Processeur central | eZ8 |
Taille de base | 8-Bit |
La vitesse | 20MHz |
Connectivité | IrDA, UART/USART |
Des périphériques | Brown-out Detect/Reset, LED, LVD, POR, PWM, Temp Sensor, WDT |
Nombre d'E / S | 17 |
Taille de la mémoire du programme | 8KB (8K x 8) |
Type de mémoire de programme | FLASH |
Taille EEPROM | - |
Taille de la RAM | 1K x 8 |
Tension - Alimentation (Vcc / Vdd) | 2.7V ~ 3.6V |
Convertisseurs de données | A/D 7x10b |
Type d'oscillateur | Internal |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
Paquet / caisse | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 20-SSOP (0.209", 5.30mm Width) |
- | |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
Z8F082AHH020EG2156 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | Z8F082AHH020EG2156-FT |
MC9S08SH8MTJR
NXP USA Inc.
MC9S08SH16CTJ
NXP USA Inc.
S9S08EL16F1CTJR
NXP USA Inc.
S9S08EL32F1CTJR
NXP USA Inc.
S9S08EL32F1MTJR
NXP USA Inc.
S9S08RN16W2MTJ
NXP USA Inc.
S9S08RN16W2MTJR
NXP USA Inc.
S9S08RN16W2VTJ
NXP USA Inc.
S9S08RN16W2VTJR
NXP USA Inc.
S9S08RN8W2MTJ
NXP USA Inc.
LCMXO1200C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX45-2FG676I
Xilinx Inc.
XC2S150-5FG456C
Xilinx Inc.
M2GL025-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-6900C-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation