maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Embarqué - Microcontrôleurs / Z8F0421HH020SG
Référence fabricant | Z8F0421HH020SG |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-Z8F0421HH020SG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Encore!® XP® |
Z8F0421HH020SG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Processeur central | eZ8 |
Taille de base | 8-Bit |
La vitesse | 20MHz |
Connectivité | I²C, IrDA, UART/USART |
Des périphériques | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT |
Nombre d'E / S | 11 |
Taille de la mémoire du programme | 4KB (4K x 8) |
Type de mémoire de programme | FLASH |
Taille EEPROM | - |
Taille de la RAM | 1K x 8 |
Tension - Alimentation (Vcc / Vdd) | 2.7V ~ 3.6V |
Convertisseurs de données | A/D 2x10b |
Type d'oscillateur | Internal |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Paquet / caisse | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 20-SSOP (0.209", 5.30mm Width) |
- | |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
Z8F0421HH020SG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | Z8F0421HH020SG-FT |
S9S12GN16F1MTJ
NXP USA Inc.
S9S12GN16F1VTJ
NXP USA Inc.
S9S12GN16F1VTJR
NXP USA Inc.
S9S12GN16J1MTJ
NXP USA Inc.
S9S12GN32BMTJ
NXP USA Inc.
S9S12GN32BVTJ
NXP USA Inc.
S9S12GN32BVTJR
NXP USA Inc.
S9S12GN32F1CTJ
NXP USA Inc.
S9S12GN32F1CTJR
NXP USA Inc.
S9S12GN32F1MTJ
NXP USA Inc.
LFE3-35EA-6LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F40C3N
Intel
10AX032E3F27E2SG
Intel
XC7VX980T-1FFG1926C
Xilinx Inc.
XC7V2000T-1FLG1925CES9937
Xilinx Inc.
XC6VLX365T-1FFG1759C
Xilinx Inc.
APA075-TQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2280C-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N3F40E2SG
Intel