maison / des produits / Résistances / Réseaux de résistances, matrices / Y1365V0207BT9R
Référence fabricant | Y1365V0207BT9R |
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Numéro de pièce future | FT-Y1365V0207BT9R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SMN |
Y1365V0207BT9R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de circuit | Isolated |
Résistance (Ohms) | 5k, 10k |
Tolérance | ±0.1% |
Nombre de résistances | 4 |
Rapport de correspondance de résistance | ±0.01% |
Rapport résistance-dérive | ±0.5 ppm/°C |
Nombre de pins | 8 |
Puissance par élément | 100mW |
Coéfficent de température | ±2ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Applications | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.197" L x 0.157" W (5.00mm x 3.99mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.073" (1.86mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
Y1365V0207BT9R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | Y1365V0207BT9R-FT |
ORNTA2001AT1
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A54SX32-2TQG144
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Xilinx Inc.
A1020B-2PLG68C
Microsemi Corporation
10M08DFF484C7G
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5SGSMD3E2H29C2L
Intel
A42MX24-PQG160A
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6F256C
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LCMXO2280C-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6N
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EP2AGX95EF29C6N
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