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Référence fabricant | Y1365V0008BA0R |
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Numéro de pièce future | FT-Y1365V0008BA0R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SMN |
Y1365V0008BA0R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de circuit | Isolated |
Résistance (Ohms) | 10k |
Tolérance | ±0.1% |
Nombre de résistances | 4 |
Rapport de correspondance de résistance | ±0.05% |
Rapport résistance-dérive | ±0.5 ppm/°C |
Nombre de pins | 8 |
Puissance par élément | 100mW |
Coéfficent de température | ±2ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Applications | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.197" L x 0.157" W (5.00mm x 3.99mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.073" (1.86mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
Y1365V0008BA0R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | Y1365V0008BA0R-FT |
4116R-2-680
Bourns Inc.
4116R-2-680LF
Bourns Inc.
4116R-2-681
Bourns Inc.
4116R-2-681LF
Bourns Inc.
4116R-2-682
Bourns Inc.
4116R-2-682LF
Bourns Inc.
4116R-2-683
Bourns Inc.
4116R-2-683LF
Bourns Inc.
4116R-2-820
Bourns Inc.
4116R-2-820LF
Bourns Inc.
A1225A-1PQG100C
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C10U256C8N
Intel
5SGSMD4K2F40I2L
Intel
10M02SCE144I7G
Intel
5SGXEA7N2F45I3LN
Intel
XC6VHX255T-1FFG1923I
Xilinx Inc.
LFEC3E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60F1020I6N
Intel