maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / XP161A1265PR-G
Référence fabricant | XP161A1265PR-G |
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Numéro de pièce future | FT-XP161A1265PR-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
XP161A1265PR-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 320pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2W (Ta) |
Température de fonctionnement | 150°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-89 |
Paquet / caisse | TO-243AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
XP161A1265PR-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | XP161A1265PR-G-FT |
DMN2990UFB-7B
Diodes Incorporated
DMN4030LK3Q-13
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XC6SLX150-3FG676I
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5SGSED8N2F45I2
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