maison / des produits / Cristaux, oscillateurs, résonateurs / Oscillateurs / WT325CI0016.368000
Référence fabricant | WT325CI0016.368000 |
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Numéro de pièce future | FT-WT325CI0016.368000 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SaRonix-eCera™ WT |
WT325CI0016.368000 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Crystal |
La fréquence | TCXO |
Une fonction | 16.368MHz |
Sortie | - |
Tension - Alimentation | Clipped Sine Wave |
Stabilité de fréquence | 2.8V |
Gamme de traction absolue (APR) | ±2ppm |
Température de fonctionnement | - |
Courant - Alimentation (Max) | -30°C ~ 85°C |
Évaluations | 1.5mA |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | Surface Mount |
Taille / Dimension | 4-SMD, No Lead |
Hauteur - assis (max) | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
0.047" (1.20mm) | |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WT325CI0016.368000 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | WT325CI0016.368000-FT |
FN2450042
Diodes Incorporated
FN2500140
Diodes Incorporated
FN2500154
Diodes Incorporated
FN2500155
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FN2500165
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FN2500169
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FN2500170
Diodes Incorporated
XC7A35T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AFS1500-1FGG484K
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-PQ208
Microsemi Corporation
EP3C40U484C6
Intel
EP2AGZ300HF40C4N
Intel
A54SX32A-1TQG100
Microsemi Corporation
A3P125-2FGG144
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3LG
Intel
EP2SGX30CF780C3N
Intel
EP4SGX230FF35I4N
Intel