maison / des produits / Résistances / Résistances spécialisées / WSBS8518L1250JTP3
Référence fabricant | WSBS8518L1250JTP3 |
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Numéro de pièce future | FT-WSBS8518L1250JTP3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Power Metal Strip® |
WSBS8518L1250JTP3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Shunt, Battery |
Applications | Automotive AEC-Q200 |
Composition | Metal Element |
La résistance | 125 µOhms |
Tolérance | ±5% |
Puissance (Watts) | 36W |
Coéfficent de température | ±175ppm/°C |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 170°C |
Type de montage | Shunt Fixture, 60mm Pitch |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WSBS8518L1250JTP3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | WSBS8518L1250JTP3-FT |
ERA-S27J122V
Panasonic Electronic Components
ERA-S27J151V
Panasonic Electronic Components
ERA-S27J181V
Panasonic Electronic Components
ERA-S27J182V
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ERA-S27J221V
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ERA-S27J222V
Panasonic Electronic Components
ERA-S27J271V
Panasonic Electronic Components
ERA-S27J272V
Panasonic Electronic Components
ERA-S27J332V
Panasonic Electronic Components
ERA-S27J391V
Panasonic Electronic Components
EX128-TQG64I
Microsemi Corporation
XCKU11P-2FFVE1517I
Xilinx Inc.
5SGXEB6R2F40C2N
Intel
EP3SL110F1152I4N
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
A40MX04-PL84
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
EP4CE115F29I7
Intel
5SGSMD4H3F35C4N
Intel