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Référence fabricant | WSBS5216L1000JT |
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Numéro de pièce future | FT-WSBS5216L1000JT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Power Metal Strip® |
WSBS5216L1000JT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Shunt, Battery |
Applications | Automotive AEC-Q200 |
Composition | Metal Element |
La résistance | 100 µOhms |
Tolérance | ±5% |
Puissance (Watts) | 12W |
Coéfficent de température | ±150ppm/°C |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 170°C |
Type de montage | Shunt Fixture, 60mm Pitch |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WSBS5216L1000JT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | WSBS5216L1000JT-FT |
ERA-S33J821V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J100V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J101V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J120V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J150V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J151V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J180V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J181V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J220V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J221V
Panasonic Electronic Components
LCMXO3LF-4300C-5BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-VQG100I
Microsemi Corporation
EP1SGX10DF672I6N
Intel
EP4CGX50CF23C7N
Intel
EP4CE30F23A7N
Intel
5SGXMB5R2F40C1N
Intel
XC5VLX110T-3FF1136C
Xilinx Inc.
A42MX24-1PL84
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
10M16DAU324I7G
Intel