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ON Semiconductor WPB4002-1E

Name: WPB4002-1E
Brand: ON Semiconductor
SKU: WPB4002-1E
Availability: InStock
Rating: 4.8 (400 reviews)

Numéro de pièce MFG: WPB4002-1E

quantité disponible: 71210 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: - MOSFET N-CH 600V 23A TO3P3L

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: WPB4002-1E.pdf

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WPB4002-1E Caractéristiques

Référence fabricant	WPB4002-1E
Numéro de pièce future	FT-WPB4002-1E
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
WPB4002-1E Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	23A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360 mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	84nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2200pF @ 30V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.5W (Ta), 220W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-3P-3L
Paquet / caisse	TO-3P-3, SC-65-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
WPB4002-1E Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	WPB4002-1E-FT

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