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Référence fabricant | WND1R0FET |
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Numéro de pièce future | FT-WND1R0FET |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | WN |
WND1R0FET Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 1 Ohms |
Tolérance | ±1% |
Puissance (Watts) | 3W |
Composition | Wirewound |
Caractéristiques | Non-Inductive |
Coéfficent de température | ±50ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.217" Dia x 0.533" L (5.50mm x 13.54mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WND1R0FET Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | WND1R0FET-FT |
ERD-S1TJ180V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ165V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ164V
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ERD-S1TJ163V
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A3P250-1FGG256
Microsemi Corporation
LFE2M100E-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8F256C7N
Intel
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5SGXEA7N3F40C3N
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EP3SL340F1760C4L
Intel
XC5VSX50T-3FF665C
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XC2V1000-5FFG896C
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF35C6
Intel
EP4SGX180DF29I4N
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