maison / des produits / Résistances / Résistances traversantes / WND100FET
Référence fabricant | WND100FET |
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Numéro de pièce future | FT-WND100FET |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | WN |
WND100FET Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 100 Ohms |
Tolérance | ±1% |
Puissance (Watts) | 3W |
Composition | Wirewound |
Caractéristiques | Non-Inductive |
Coéfficent de température | ±20ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.217" Dia x 0.533" L (5.50mm x 13.54mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WND100FET Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | WND100FET-FT |
ERD-S1TJ165V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ164V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ163V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ162V
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ERD-S1TJ161V
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ERD-S1TJ160V
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ERD-S1TJ155V
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ICE40LM2K-SWG25TR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F23I8LN
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5SGSMD4E3H29C4N
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5SGXEB6R2F43I2L
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A42MX16-TQG176
Microsemi Corporation
LFE2-50E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF35I5
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EP1C20F400I7N
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EPF10K100ABC356-2N
Intel