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Référence fabricant | WNA100FET |
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Numéro de pièce future | FT-WNA100FET |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | WN |
WNA100FET Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 100 Ohms |
Tolérance | ±1% |
Puissance (Watts) | 0.5W, 1/2W |
Composition | Wirewound |
Caractéristiques | Non-Inductive |
Coéfficent de température | ±20ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.100" Dia x 0.200" L (2.54mm x 5.08mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WNA100FET Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | WNA100FET-FT |
WNCR75FET
Ohmite
WNCR50FET
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LCMXO640E-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU035-3FBVA676E
Xilinx Inc.
XA7A75T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FTQG176
Microsemi Corporation
EP3SE50F484C3N
Intel
A42MX09-2PQ160I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-1BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50BC356-4
Intel
EP1C12F324C7
Intel
EPF10K50SQC240-3
Intel