maison / des produits / Résistances / Résistances traversantes / WHD10RFET
Référence fabricant | WHD10RFET |
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Numéro de pièce future | FT-WHD10RFET |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | WH |
WHD10RFET Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 10 Ohms |
Tolérance | ±1% |
Puissance (Watts) | 3W |
Composition | Wirewound |
Caractéristiques | - |
Coéfficent de température | ±50ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.217" Dia x 0.533" L (5.50mm x 13.54mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WHD10RFET Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | WHD10RFET-FT |
ERD-S1TJ244V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ243V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ242V
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A1010B-VQ80I
Microsemi Corporation
ICE5LP1K-SG48ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K60ETC144-3N
Intel
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
10M40DAF484I6G
Intel
10M25DAF256C8G
Intel
5SGXEA3K2F40I3L
Intel
5SGXEA4H1F35C2L
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LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S4F45I3SGE2
Intel