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Référence fabricant | WHB51RFET |
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Numéro de pièce future | FT-WHB51RFET |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | WH |
WHB51RFET Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 51 Ohms |
Tolérance | ±1% |
Puissance (Watts) | 1W |
Composition | Wirewound |
Caractéristiques | - |
Coéfficent de température | ±20ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.130" Dia x 0.276" L (3.30mm x 7.00mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WHB51RFET Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | WHB51RFET-FT |
MT3-0R07F1
Riedon
MT3-0R1F1
Riedon
MT2C-0R01F1
Riedon
MT2C-0R03F1
Riedon
MT2C-0R05F1
Riedon
MT2C-0R07F1
Riedon
MT2C-0R1F1
Riedon
MT2B-0R01F1
Riedon
MT2B-0R02F1
Riedon
MT2B-0R1F1
Riedon
A3P250-1FGG256
Microsemi Corporation
LFE2M100E-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8F256C7N
Intel
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA7N3F40C3N
Intel
EP3SL340F1760C4L
Intel
XC5VSX50T-3FF665C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FFG896C
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF35C6
Intel
EP4SGX180DF29I4N
Intel