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Référence fabricant | W987D6HBGX7E |
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Numéro de pièce future | FT-W987D6HBGX7E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
W987D6HBGX7E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPSDR |
Taille mémoire | 128Mb (8M x 16) |
Fréquence d'horloge | 133MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 5.4ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 54-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 54-VFBGA (8x9) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W987D6HBGX7E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | W987D6HBGX7E-FT |
W632GG8MB-15
Winbond Electronics
W632GG8MB-15 TR
Winbond Electronics
W632GG8MB12I
Winbond Electronics
W632GG8MB12I TR
Winbond Electronics
W632GG8MB15I
Winbond Electronics
W632GG8MB15I TR
Winbond Electronics
W632GU8KT-12
Winbond Electronics
W632GU8MB-11
Winbond Electronics
W632GU8MB-12
Winbond Electronics
W632GU8MB-12 TR
Winbond Electronics
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel