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Référence fabricant | W987D6HBGX6I |
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Numéro de pièce future | FT-W987D6HBGX6I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
W987D6HBGX6I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPSDR |
Taille mémoire | 128Mb (8M x 16) |
Fréquence d'horloge | 166MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 5.4ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 54-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 54-VFBGA (8x9) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W987D6HBGX6I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | W987D6HBGX6I-FT |
W632GG8MB-11 TR
Winbond Electronics
W632GG8MB-12 TR
Winbond Electronics
W632GG8MB-15
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W632GG8MB-15 TR
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W632GG8MB12I
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W632GG8MB12I TR
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W632GG8MB15I
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W632GG8MB15I TR
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W632GU8KT-12
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W632GU8MB-11
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XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
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M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
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ICE40LM2K-CM36
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LFEC10E-3QN208I
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LFE3-150EA-7LFN1156C
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LCMXO640E-4M100C
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EP3SE50F780I3N
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EP2AGZ300FF35I4N
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