maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / W987D6HBGX6I TR
Référence fabricant | W987D6HBGX6I TR |
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Numéro de pièce future | FT-W987D6HBGX6I TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
W987D6HBGX6I TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPSDR |
Taille mémoire | 128Mb (8M x 16) |
Fréquence d'horloge | 166MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 5.4ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 54-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 54-VFBGA (8x9) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W987D6HBGX6I TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | W987D6HBGX6I TR-FT |
W632GG8MB-12 TR
Winbond Electronics
W632GG8MB-15
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XC4020XL-1HT144C
Xilinx Inc.
EX64-TQ100A
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQ240
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-3
Intel
10CL016YE144C8G
Intel
5SGXEA4K2F35C2L
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LFE2-20SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45I3LG
Intel