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Référence fabricant | W987D2HBJX7E |
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Numéro de pièce future | FT-W987D2HBJX7E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
W987D2HBJX7E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPSDR |
Taille mémoire | 128Mb (4M x 32) |
Fréquence d'horloge | 133MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 5.4ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 90-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 90-VFBGA (8x13) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W987D2HBJX7E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | W987D2HBJX7E-FT |
W972GG6JB-3I TR
Winbond Electronics
W972GG6JB25I
Winbond Electronics
W972GG6JB25I TR
Winbond Electronics
W9412G6KH-5
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W9425G6KH-5
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W9464G6KH-5
Winbond Electronics
W9412G6IH-5
Winbond Electronics
W9412G6JH-4
Winbond Electronics
W9412G6JH-5I
Winbond Electronics
W9412G6KH-4
Winbond Electronics
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290NF45I4N
Intel
XC7VX690T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC7S50-1CSGA324C
Xilinx Inc.
APA075-TQG100
Microsemi Corporation
A42MX24-3PLG84I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2X
Intel
5SGXMA3H2F35C2N
Intel