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W987D2HBJX7E TR Image

Winbond Electronics W987D2HBJX7E TR

Numéro de pièce MFG
W987D2HBJX7E TR
quantité disponible
84590 Pièces
Prix de référence
USD 1.747128
Notre prix
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Winbond Electronics
Brève description
- IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Mémoire
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
W987D2HBJX7E TR.pdf
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W987D2HBJX7E TR Caractéristiques

Référence fabricant W987D2HBJX7E TR
Numéro de pièce future FT-W987D2HBJX7E TR
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
W987D2HBJX7E TR Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Not For New Designs
Type de mémoire Volatile
Format de mémoire DRAM
La technologie SDRAM - Mobile LPSDR
Taille mémoire 128Mb (4M x 32)
Fréquence d'horloge 133MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 5.4ns
Interface mémoire Parallel
Tension - Alimentation 1.7V ~ 1.95V
Température de fonctionnement -25°C ~ 85°C (TC)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 90-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur 90-VFBGA (8x13)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
W987D2HBJX7E TR Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange W987D2HBJX7E TR-FT

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