maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / W979H6KBVX2I
Référence fabricant | W979H6KBVX2I |
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Numéro de pièce future | FT-W979H6KBVX2I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
W979H6KBVX2I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Taille mémoire | 512Mb (32M x 16) |
Fréquence d'horloge | 400MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 134-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 134-VFBGA (10x11.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W979H6KBVX2I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | W979H6KBVX2I-FT |
W25Q32FVTBIG TR
Winbond Electronics
W25Q32FVTBJQ
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W25Q32FVTBJQ TR
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W25Q64CVTBIG
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W25Q64CVTBIG TR
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W25Q64CVTBIP
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W25Q64CVTBIP TR
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W25Q64FVTBIG
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W25Q64FVTBIP
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W25Q64FVTBJQ
Winbond Electronics
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel