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Référence fabricant | W979H2KBQX2E |
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Numéro de pièce future | FT-W979H2KBQX2E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
W979H2KBQX2E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Taille mémoire | 512Mb (16M x 32) |
Fréquence d'horloge | 400MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 168-WFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 168-WFBGA (12x12) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W979H2KBQX2E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | W979H2KBQX2E-FT |
W29GL128CH9C
Winbond Electronics
W29GL128CH9C TR
Winbond Electronics
W29GL128CL9C
Winbond Electronics
W29GL128CL9C TR
Winbond Electronics
W29GL128PH9B TR
Winbond Electronics
W29GL128PH9T
Winbond Electronics
W29GL128PH9T TR
Winbond Electronics
W29GL256SH9C
Winbond Electronics
W29GL256SH9C TR
Winbond Electronics
W29GL256SL9C
Winbond Electronics
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel