maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / W972GG8JB-3 TR
Référence fabricant | W972GG8JB-3 TR |
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Numéro de pièce future | FT-W972GG8JB-3 TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
W972GG8JB-3 TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR2 |
Taille mémoire | 2Gb (256M x 8) |
Fréquence d'horloge | 333MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 450ps |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 60-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 60-WBGA (11x11.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W972GG8JB-3 TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | W972GG8JB-3 TR-FT |
W25Q64FVZPJQ
Winbond Electronics
W25Q64FVZPJQ TR
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Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2SG
Intel