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Référence fabricant | W971GG8SB-25 TR |
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Numéro de pièce future | FT-W971GG8SB-25 TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
W971GG8SB-25 TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR2 |
Taille mémoire | 1Gb (128M x 8) |
Fréquence d'horloge | 200MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 400ps |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 60-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 60-WBGA (8x12.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W971GG8SB-25 TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | W971GG8SB-25 TR-FT |
MT45W4MW16BCGB-708 WT
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16BCGB-708 WT TR
Micron Technology Inc.
MT45W512KW16BEGB-708 WT TR
Micron Technology Inc.
W956D6HBCX7I TR
Winbond Electronics
W957D6HBCX7I TR
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W958D6DBCX7I TR
Winbond Electronics
W966D6HBGX7I
Winbond Electronics
W966D6HBGX7I TR
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W967D6HBGX7I TR
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W968D6DAGX7I TR
Winbond Electronics
A42MX36-BGG272
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A3PN125-Z2VQ100
Microsemi Corporation
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XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FG484C
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EP1S20F780C5N
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EP1C12F324C7N
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