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Référence fabricant | W971GG8KB25I TR |
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Numéro de pièce future | FT-W971GG8KB25I TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
W971GG8KB25I TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR2 |
Taille mémoire | 1Gb (128M x 8) |
Fréquence d'horloge | 200MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 400ps |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 60-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 60-WBGA (8x12.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W971GG8KB25I TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | W971GG8KB25I TR-FT |
MT45W4MW16BCGB-701 WT TR
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16BCGB-708 WT
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16BCGB-708 WT TR
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MT45W512KW16BEGB-708 WT TR
Micron Technology Inc.
W956D6HBCX7I TR
Winbond Electronics
W957D6HBCX7I TR
Winbond Electronics
W958D6DBCX7I TR
Winbond Electronics
W966D6HBGX7I
Winbond Electronics
W966D6HBGX7I TR
Winbond Electronics
W967D6HBGX7I TR
Winbond Electronics
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
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A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
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LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel