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Référence fabricant | W949D2DBJX5E TR |
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Numéro de pièce future | FT-W949D2DBJX5E TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
W949D2DBJX5E TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR |
Taille mémoire | 512Mb (16M x 32) |
Fréquence d'horloge | 200MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 5ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 90-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 90-VFBGA (8x13) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W949D2DBJX5E TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | W949D2DBJX5E TR-FT |
70V9079L7PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V25761S166PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V25761S166PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V25761S183PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V25761S183PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3576S150PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3576S150PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3577S75PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3577S75PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65603S133PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel