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Référence fabricant | W947D2HBJX6E |
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Numéro de pièce future | FT-W947D2HBJX6E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
W947D2HBJX6E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR |
Taille mémoire | 128Mb (4M x 32) |
Fréquence d'horloge | 166MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 5ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 90-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 90-VFBGA (8x13) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W947D2HBJX6E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | W947D2HBJX6E-FT |
70V261S35PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V35L20PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V35L20PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V38L20PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V38L20PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V9079L7PFG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V9079L7PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V25761S166PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V25761S166PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V25761S183PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel