maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / W632GG8MB-11
Référence fabricant | W632GG8MB-11 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-W632GG8MB-11 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
W632GG8MB-11 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR3 |
Taille mémoire | 2Gb (128M x 16) |
Fréquence d'horloge | 933MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 20ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.425V ~ 1.575V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 78-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 78-VFBGA (10.5x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W632GG8MB-11 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | W632GG8MB-11-FT |
W9812G6KH-6I TR
Winbond Electronics
W9825G6EH-6
Winbond Electronics
W9825G6JH-6 TR
Winbond Electronics
W9825G6JH-6I
Winbond Electronics
W9825G6JH-6I TR
Winbond Electronics
W9825G6KH-5
Winbond Electronics
W9825G6KH-5 TR
Winbond Electronics
W9825G6KH-6 TR
Winbond Electronics
W9825G6KH-6I
Winbond Electronics
W9825G6KH-6I TR
Winbond Electronics
APA750-FG896A
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1CQC
Microchip Technology
EP4CE6F17C8
Intel
10AX027H2F35I2LG
Intel
A42MX09-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C4N
Intel
5CEFA2M13C8N
Intel
EP4SGX110FF35C2XN
Intel