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Référence fabricant | W632GG8MB-09 |
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Numéro de pièce future | FT-W632GG8MB-09 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
W632GG8MB-09 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR3 |
Taille mémoire | 2Gb (128M x 16) |
Fréquence d'horloge | 1066MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 20ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.425V ~ 1.575V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 78-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 78-VFBGA (10.5x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W632GG8MB-09 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | W632GG8MB-09-FT |
W9812G6KH-6I
Winbond Electronics
W9812G6KH-6I TR
Winbond Electronics
W9825G6EH-6
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W9825G6JH-6 TR
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W9825G6JH-6I
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W9825G6JH-6I TR
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W9825G6KH-5
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W9825G6KH-5 TR
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W9825G6KH-6 TR
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W9825G6KH-6I
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M2GL025-FCSG325I
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M1A3P600-PQG208
Microsemi Corporation
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XC7S15-1CPGA196C
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A42MX16-3TQ176I
Microsemi Corporation
A54SX08A-FGG144
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A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFXP15C-4FN256I
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LFE2-6SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
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