maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / W632GG8KB12I TR
Référence fabricant | W632GG8KB12I TR |
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Numéro de pièce future | FT-W632GG8KB12I TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
W632GG8KB12I TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR3 |
Taille mémoire | 2Gb (256M x 8) |
Fréquence d'horloge | 800MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 20ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.425V ~ 1.575V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 78-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 78-WBGA (10.5x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W632GG8KB12I TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | W632GG8KB12I TR-FT |
W9812G6KH-5
Winbond Electronics
W9812G6KH-5 TR
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W9812G6KH-6 TR
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LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FI484-2
Intel
XC7VX485T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC2VP20-6FFG896C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-N3CSG225I
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289I
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A54SX16A-FTQG100
Microsemi Corporation
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EP4SGX360HF35C2
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