maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / W632GG8KB-11 TR
Référence fabricant | W632GG8KB-11 TR |
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Numéro de pièce future | FT-W632GG8KB-11 TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
W632GG8KB-11 TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR3 |
Taille mémoire | 2Gb (256M x 8) |
Fréquence d'horloge | 933MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 20ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.425V ~ 1.575V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 78-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 78-WBGA (10.5x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W632GG8KB-11 TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | W632GG8KB-11 TR-FT |
MD56V62160M-7TAZ0AX
Rohm Semiconductor
W9825G6KH-6
Winbond Electronics
W9864G6KH-6
Winbond Electronics
W9812G6IH-6
Winbond Electronics
W9812G6JH-5
Winbond Electronics
W9812G6JH-6I
Winbond Electronics
W9812G6KH-5
Winbond Electronics
W9812G6KH-5 TR
Winbond Electronics
W9812G6KH-6 TR
Winbond Electronics
W9812G6KH-6I
Winbond Electronics
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel