maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / W631GG8MB12I
Référence fabricant | W631GG8MB12I |
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Numéro de pièce future | FT-W631GG8MB12I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
W631GG8MB12I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | - |
Format de mémoire | - |
La technologie | - |
Taille mémoire | - |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W631GG8MB12I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | W631GG8MB12I-FT |
W25Q16DVSNJG TR
Winbond Electronics
W25Q16DVSNJP
Winbond Electronics
W25Q16DVSNJP TR
Winbond Electronics
W25Q16DVSSJG
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W25Q16DVSSJG TR
Winbond Electronics
W25Q16DVSSJP
Winbond Electronics
W25Q16DVSSJP TR
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W25Q16DVUUJP
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W25Q16DVUUJP TR
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W25Q16DVZPJG
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LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
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LCMXO3L-640E-6MG121I
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EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
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