maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / W25P10VSNIG T&R
Référence fabricant | W25P10VSNIG T&R |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-W25P10VSNIG T&R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SpiFlash® |
W25P10VSNIG T&R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH |
Taille mémoire | 1Mb (128K x 8) |
Fréquence d'horloge | 40MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 5ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W25P10VSNIG T&R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | W25P10VSNIG T&R-FT |
MX25U8035EM2I-10G
Macronix
N25Q016A11ESC40F TR
Micron Technology Inc.
N25Q016A11ESC40G
Micron Technology Inc.
N25Q016A11ESCA0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q032A11ESE40F TR
Micron Technology Inc.
N25Q032A11ESE40G
Micron Technology Inc.
N25Q032A11ESEA0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q032A13ESC40F TR
Micron Technology Inc.
N25Q032A13ESC40G
Micron Technology Inc.
N25Q032A13ESCA0F TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel