maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / VUO121-16NO1
Référence fabricant | VUO121-16NO1 |
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Numéro de pièce future | FT-VUO121-16NO1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VUO121-16NO1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Three Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1.6kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 118A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.19V @ 40A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 1600V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | E2 |
Package d'appareils du fournisseur | E2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO121-16NO1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VUO121-16NO1-FT |
APTDF100H20G
Microsemi Corporation
APTDF100H601G
Microsemi Corporation
APTDF200H100G
Microsemi Corporation
APTDF200H120G
Microsemi Corporation
APTDF200H170G
Microsemi Corporation
APTDF30H1201G
Microsemi Corporation
APTDF30H601G
Microsemi Corporation
APTDF60H601G
Microsemi Corporation
APTDR40X1601G
Microsemi Corporation
DDB6U104N16RRB37BOSA1
Infineon Technologies
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
EP1K10TC100-3
Intel
5SGSMD8K3F40I4N
Intel
5SGXEA7H2F35C2
Intel
EP3SL340H1152I4LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9E6F31I7N
Intel
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP2SGX60DF780C3N
Intel