maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / VUO110-18NO7

| Référence fabricant | VUO110-18NO7 |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-VUO110-18NO7 |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| VUO110-18NO7 Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de diode | Three Phase |
| La technologie | Standard |
| Tension - Inverse de crête (Max) | 1.8kV |
| Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 127A |
| Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.13V @ 50A |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 1800V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / caisse | PWS-E1 |
| Package d'appareils du fournisseur | PWS-E1 |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| VUO110-18NO7 Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | VUO110-18NO7-FT |

APTDF100H170G
Microsemi Corporation

APTDF100H20G
Microsemi Corporation

APTDF100H601G
Microsemi Corporation

APTDF200H100G
Microsemi Corporation

APTDF200H120G
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APTDF200H170G
Microsemi Corporation

APTDF30H1201G
Microsemi Corporation

APTDF30H601G
Microsemi Corporation

APTDF60H601G
Microsemi Corporation

APTDR40X1601G
Microsemi Corporation

LFXP6C-4TN144C
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M1A3P400-2FG256I
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A1425A-VQG100I
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5SGXEA5N2F40I2N
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5SGXMA7H2F35C1N
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LCMXO640E-3MN132C
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EP20K1000CF33C7N
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