maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / VUO110-18NO7
Référence fabricant | VUO110-18NO7 |
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Numéro de pièce future | FT-VUO110-18NO7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VUO110-18NO7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Three Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1.8kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 127A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.13V @ 50A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 1800V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | PWS-E1 |
Package d'appareils du fournisseur | PWS-E1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO110-18NO7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VUO110-18NO7-FT |
APTDF100H170G
Microsemi Corporation
APTDF100H20G
Microsemi Corporation
APTDF100H601G
Microsemi Corporation
APTDF200H100G
Microsemi Corporation
APTDF200H120G
Microsemi Corporation
APTDF200H170G
Microsemi Corporation
APTDF30H1201G
Microsemi Corporation
APTDF30H601G
Microsemi Corporation
APTDF60H601G
Microsemi Corporation
APTDR40X1601G
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-N3CSG484I
Xilinx Inc.
XC2S150-5FG456C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FG484I
Microsemi Corporation
APA600-FG484A
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I4N
Intel
EP4SE820F43I3
Intel
LCMXO256C-5MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50QC208-3
Intel
EPF6016AQC208-2
Intel
EP20K1000CF33C9ES
Intel