maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / VUO110-14NO7
Référence fabricant | VUO110-14NO7 |
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Numéro de pièce future | FT-VUO110-14NO7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VUO110-14NO7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Three Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1.4kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 127A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.13V @ 50A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 1400V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | PWS-E1 |
Package d'appareils du fournisseur | PWS-E1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO110-14NO7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VUO110-14NO7-FT |
APTDF100H100G
Microsemi Corporation
APTDF100H170G
Microsemi Corporation
APTDF100H20G
Microsemi Corporation
APTDF100H601G
Microsemi Corporation
APTDF200H100G
Microsemi Corporation
APTDF200H120G
Microsemi Corporation
APTDF200H170G
Microsemi Corporation
APTDF30H1201G
Microsemi Corporation
APTDF30H601G
Microsemi Corporation
APTDF60H601G
Microsemi Corporation
LFEC3E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-5FG256C
Xilinx Inc.
A54SX32A-2FG484I
Microsemi Corporation
ICE40LM4K-SWG25TR
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE15F23C9LN
Intel
EP3C25U256A7N
Intel
5SGXEA7N1F45C2L
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP1S30F780C7
Intel
EP20K100CQ240C7ES
Intel