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Référence fabricant | VTVS63GSMF-M3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-VTVS63GSMF-M3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TransZorb® |
VTVS63GSMF-M3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 63V |
Tension - Panne (Min) | 73.01V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 108V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 3.65A |
Puissance - Peak Pulse | 400W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | 227pF @ 1MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VTVS63GSMF-M3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VTVS63GSMF-M3-18-FT |
VTVS21GSMF-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS21GSMF-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS23ASMF-HM3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS23ASMF-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS23ASMF-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS23GSMF-HM3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS23GSMF-HM3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS23GSMF-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS23GSMF-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS25ASMF-HM3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
M7A3P1000-1PQ208I
Microsemi Corporation
A3P125-2VQG100
Microsemi Corporation
10AX032H4F34E3SG
Intel
XC4VLX160-11FF1148C
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FFG896C
Xilinx Inc.
XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VLX50-2FFG676C
Xilinx Inc.
LFE5U-25F-7BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6U19A7N
Intel
EP4SGX360HF35C3
Intel