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Référence fabricant | VTVS36ASMF-HM3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-VTVS36ASMF-HM3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, TransZorb® |
VTVS36ASMF-HM3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 36V |
Tension - Panne (Min) | 40.9V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 61V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 6.24A |
Puissance - Peak Pulse | 400W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | Automotive |
Capacité à fréquence | 342pF @ 1MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VTVS36ASMF-HM3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VTVS36ASMF-HM3-18-FT |
VTVS5V0ASMF-HM3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS5V0ASMF-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS63ASMF-M3-08
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VTVS10ASMF-HM3-18
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VTVS10GSMF-HM3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS10GSMF-HM3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS10GSMF-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS10GSMF-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A42MX16-2PQG100
Microsemi Corporation
XA6SLX45T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ84M
Microsemi Corporation
A54SX08-2VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQI
Microchip Technology
EPF10K100ABC600-2
Intel
EP4SGX290FH29C3
Intel
EP4CE22E22I8LN
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5SGXEA4H1F35C2N
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EP20K100CQ240C7ES
Intel