maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux / VT6X11T2R
Référence fabricant | VT6X11T2R |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-VT6X11T2R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VT6X11T2R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 NPN (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 200mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 20V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 2V |
Puissance - Max | 150mW |
Fréquence - Transition | 400MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-SMD, Flat Leads |
Package d'appareils du fournisseur | VMT6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VT6X11T2R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VT6X11T2R-FT |
HN1B04FU-Y(T5L,F,T
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C01FU-Y(T5L,F,T
Toshiba Semiconductor and Storage
HN4A56JU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
ULN2003APG,CN
Toshiba Semiconductor and Storage
ULN2004APG,C,N
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1873-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1873-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4944-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
ULN2803AFWG,C,EL
Toshiba Semiconductor and Storage
ULN2004ADR
Texas Instruments
XC6SLX75-3FGG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX72A-1CQ256B
Microsemi Corporation
5SGXEB5R1F40C1N
Intel
EP2AGX65DF25C6NES
Intel
5SEE9F45C4N
Intel
XC6VLX75T-1FFG784I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2BG329I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H1F35C1N
Intel