maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux / VT6T1T2R
Référence fabricant | VT6T1T2R |
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Numéro de pièce future | FT-VT6T1T2R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VT6T1T2R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 PNP (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 200mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 20V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
Puissance - Max | 150mW |
Fréquence - Transition | 350MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-SMD, Flat Leads |
Package d'appareils du fournisseur | VMT6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VT6T1T2R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VT6T1T2R-FT |
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Xilinx Inc.
A54SX32A-2BG329I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7FN900C
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5SGSMD3H1F35C1N
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