maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VT30L60CHM3/4W
Référence fabricant | VT30L60CHM3/4W |
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Numéro de pièce future | FT-VT30L60CHM3/4W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, TMBS® |
VT30L60CHM3/4W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 15A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 600mV @ 15A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 4mA @ 60V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VT30L60CHM3/4W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VT30L60CHM3/4W-FT |
VS-30CTQ040PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ045-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ050-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ050PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ060-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ080-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ080GPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ080PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ100-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ100GPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
APA750-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C3N
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC5VFX70T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
LFE2-20E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45CU17C6N
Intel
5AGXBA7D4F35C4N
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EP20K200BC356-2
Intel