maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VT30L60CHM3/4W
Référence fabricant | VT30L60CHM3/4W |
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Numéro de pièce future | FT-VT30L60CHM3/4W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, TMBS® |
VT30L60CHM3/4W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 15A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 600mV @ 15A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 4mA @ 60V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VT30L60CHM3/4W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VT30L60CHM3/4W-FT |
VS-30CTQ040PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ045-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ050-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ050PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ060-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ080-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ080GPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ080PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ100-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ100GPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N3F40I3LN
Intel
5SGXMB6R1F40I2N
Intel
EP2AGX95DF25C4N
Intel
EP4SGX530KH40C4N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP1S10F780C5
Intel