maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VT3080C-M3/4W
Référence fabricant | VT3080C-M3/4W |
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Numéro de pièce future | FT-VT3080C-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
VT3080C-M3/4W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 80V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 15A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 820mV @ 15A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 700µA @ 80V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VT3080C-M3/4W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VT3080C-M3/4W-FT |
VS-16CTQ100HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ035-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ035HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ040-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ040HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ045-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ045HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ150-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25CTQ035-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25CTQ040-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQG144I
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
10CX105YF780I5G
Intel
10AX048K4F35E3SG
Intel
XC5VLX85T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
XCV200-4BG256C
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FFG900CES9937
Xilinx Inc.
AGL400V2-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation