maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VSKJ270-12
Référence fabricant | VSKJ270-12 |
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Numéro de pièce future | FT-VSKJ270-12 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VSKJ270-12 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 270A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50mA @ 1200V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | 3-MAGN-A-PAK™ |
Package d'appareils du fournisseur | MAGN-A-PAK® |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VSKJ270-12 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VSKJ270-12-FT |
113CNQ100ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division
115CNQ015ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division
80CNQ035ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division
80CNQ040ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division
80CNQ045ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division
81CNQ035ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division
81CNQ040ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division
81CNQ045ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division
82CNQ030ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division
83CNQ080ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N3F40I3LN
Intel
5SGXMB6R1F40I2N
Intel
EP2AGX95DF25C4N
Intel
EP4SGX530KH40C4N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP1S10F780C5
Intel