maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / VSIB6A80-E3/45
Référence fabricant | VSIB6A80-E3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-VSIB6A80-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VSIB6A80-E3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2.8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 3A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 800V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GSIB-5S |
Package d'appareils du fournisseur | GSIB-5S |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VSIB6A80-E3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VSIB6A80-E3/45-FT |
KBU4D-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
KBU4K-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
KBU4G-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
KBU4J-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
KBU6G-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
KBU8M-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
KBU4A-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
KBU4M-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
KBU6A-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
KBU6D-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP1C6F256C6
Intel
5SGSMD5K1F40C2L
Intel
EP4SGX290KF43I4N
Intel
EP3SL200F1152C3N
Intel
XC4VFX100-10FF1152C
Xilinx Inc.
XC7S25-1CSGA324Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2TQG176
Microsemi Corporation
EP1S80F1508C5N
Intel